专利状态
一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统
专利申请进度
申请
2020-04-20
申请公布
2020-08-18
授权
2023-08-15
预估到期
2040-04-20
专利基础信息
申请号 申请日
授权公布号 授权公告日
分类号
分类
申请人名称 武汉精测电子集团股份有限公司
申请人地址
专利法律状态
  • 2023-08-15
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-09-11
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G06F8/41;申请日:20200420
  • 2020-08-18
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统,其中的方法首先输入Workload测试文件;然后对输入的Workload测试文件进行格式识别,其中,Workload测试文件具有多个命令行,命令行用以表示对指定范围内LBA的操作命令,其中LBA表示逻辑块地址;再根据格式识别结果,对输入的Workload测试文件包含的命令行进行解析,生成与命令行对应的二进制数据,所有命令行对应的二进制数据构成Workload测试文件的编译结果。本发明的方法可以提高对Workload测试文件执行效率以及测试效率,以及解决Workload测试文件命令行格式多样性、正确性问题。

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