专利状态
DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质
专利申请进度
申请
2020-01-10
申请公布
2020-05-29
授权
2023-08-08
预估到期
2040-01-10
专利基础信息
申请号 申请日
授权公布号 授权公告日
分类号
分类
申请人名称 记忆科技(深圳)有限公司
申请人地址
专利法律状态
  • 2023-08-08
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-06-23
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G06F11/22;申请日:20200110
  • 2020-05-29
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质,设备包括用于提供环境温度控制的老化柜,及连接并控制所述老化柜的通信控制模块,以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板,所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块,所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。本发明通过在测试板上使用SSD主控模块来同时连接多个DRAM芯片进行老化测试,在保证单个DRAM芯片的测试效率不受影响的前提下,大大提高了DRAM芯片老化测试设备的同测数量,进而提高了DRAM芯片老化测试的效率。

返回首页 | 品牌大全 | 品牌排行 | 品牌问答 | 品牌资讯 | 品牌价值 | 关于我们 | 联系我们 | 免责声明

Copyright 2013-2020 品牌门户,牌子123(www.paizi123.cn) 版权所有 备案号:苏ICP备13009020号-7

网站地图